Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR420TRPBF
IRFR420TRPBF

IRFR420TRPBF Vishay Siliconix

sihfr420.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+52.72 грн
6000+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR420TRPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції IRFR420TRPBF за ціною від 25.39 грн до 176.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.18 грн
6000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.53 грн
6000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Infineon Technologies 213infineon-irfr420trpbf-ds-v01_00-en.pdffileid5546d4625ee5d4cd015f0.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+93.05 грн
500+83.74 грн
1000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+110.87 грн
145+101.03 грн
250+88.72 грн
500+73.43 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.21 грн
10+78.96 грн
37+26.83 грн
100+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay Semiconductors sihfr420.pdf Infineon-IRFR420TRPBF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f03394ba4524a MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 18573 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+124.64 грн
10+91.71 грн
100+57.41 грн
500+45.52 грн
1000+40.48 грн
2000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 10309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.16 грн
10+109.19 грн
50+82.91 грн
100+69.85 грн
500+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY sihfr420.pdf Infineon-IRFR420TRPBF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f03394ba4524a Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.18 грн
6000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.53 грн
6000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF 213infineon-irfr420trpbf-ds-v01_00-en.pdffileid5546d4625ee5d4cd015f0.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
394+93.05 грн
500+83.74 грн
1000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+110.87 грн
145+101.03 грн
250+88.72 грн
500+73.43 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.21 грн
10+78.96 грн
37+26.83 грн
100+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf Infineon-IRFR420TRPBF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f03394ba4524a
IRFR420TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 18573 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.64 грн
10+91.71 грн
100+57.41 грн
500+45.52 грн
1000+40.48 грн
2000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 10309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.16 грн
10+109.19 грн
50+82.91 грн
100+69.85 грн
500+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf Infineon-IRFR420TRPBF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f03394ba4524a
IRFR420TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.