на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 23.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR420TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції IRFR420TRPBF за ціною від 23.62 грн до 85.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 14616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |