Технічний опис IRFR420TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції IRFR420TRPBF за ціною від 28.33 грн до 170.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR420TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 6135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR420TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 394+ | 89.85 грн |
| 500+ | 80.86 грн |
| 1000+ | 74.57 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 91.37 грн |
| 10+ | 64.31 грн |
| 100+ | 47.00 грн |
| 250+ | 41.83 грн |
| 500+ | 37.84 грн |
| 1000+ | 33.60 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 111+ | 128.06 грн |
| 199+ | 71.34 грн |
| 500+ | 62.39 грн |
| 1000+ | 49.97 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.68 грн |
| 10+ | 84.30 грн |
| 100+ | 48.21 грн |
| 500+ | 42.15 грн |
| 2000+ | 42.08 грн |
| 10000+ | 28.33 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 136.50 грн |
| 10+ | 88.81 грн |
| 100+ | 65.87 грн |
| 500+ | 45.43 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.48 грн |
| 10+ | 105.60 грн |
| 100+ | 72.00 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








