Інші пропозиції IRFR430APBF за ціною від 14.00 грн до 194.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR430APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR430APBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR430APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR430APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR430APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFR430APBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 327 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR430APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |