Продукція > VISHAY > IRFR430APBF
IRFR430APBF

IRFR430APBF VISHAY

IRFR430A.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.67 грн
10+51.15 грн
75+46.51 грн
300+43.53 грн
750+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR430APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR430APBF за ціною від 43.59 грн до 235.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+88.10 грн
161+80.16 грн
300+75.00 грн
750+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : VISHAY IRFR430A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.61 грн
10+63.74 грн
75+55.81 грн
300+52.24 грн
750+49.86 грн
2025+47.27 грн
3000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : Vishay Siliconix tf-irfr430apbf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.49 грн
75+76.65 грн
150+69.24 грн
525+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : Vishay Semiconductors tf-irfr430apbf.pdf MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.09 грн
10+83.02 грн
100+65.66 грн
500+48.82 грн
1000+47.51 грн
3000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.89 грн
13+65.86 грн
100+59.76 грн
500+48.49 грн
1000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+220.17 грн
159+81.30 грн
175+73.87 грн
500+67.73 грн
1000+60.45 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.90 грн
10+87.11 грн
100+79.15 грн
500+72.57 грн
1000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF Виробник : Vishay/IR tf-irfr430apbf.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 5 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 443 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF
Код товару: 163510
Додати до обраних Обраний товар

tf-irfr430apbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Виробник : Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.