IRFR430APBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 35.11 грн |
25+ | 30.73 грн |
34+ | 24.28 грн |
92+ | 22.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR430APBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR430APBF за ціною від 12.99 грн до 122.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR430APBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 5 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 443 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR430APBF Код товару: 163510 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR430APBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |