Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR430APBF

IRFR430APBF

tf-irfr430apbf.pdf
Код товару: 163510
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR430APBF за ціною від 14.33 грн до 188.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+35.37 грн
418+33.86 грн
424+33.38 грн
500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+59.24 грн
150+56.17 грн
525+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.33 грн
252+56.24 грн
525+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.35 грн
22+35.37 грн
23+33.86 грн
100+32.19 грн
500+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.51 грн
118+120.54 грн
150+108.89 грн
300+92.99 грн
525+82.41 грн
1050+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY IRFR430A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.93 грн
10+63.84 грн
75+58.87 грн
150+57.21 грн
300+55.55 грн
525+53.06 грн
1050+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.22 грн
10+81.16 грн
100+68.39 грн
500+52.91 грн
1000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay Siliconix tf-irfr430apbf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
75+83.77 грн
150+75.67 грн
525+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay Semiconductors tf-irfr430apbf.pdf MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF Vishay/IR sihfr430_vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+16.71 грн
150+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+35.37 грн
418+33.86 грн
424+33.38 грн
500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+59.24 грн
150+56.17 грн
525+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+59.33 грн
252+56.24 грн
525+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.35 грн
22+35.37 грн
23+33.86 грн
100+32.19 грн
500+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+126.51 грн
118+120.54 грн
150+108.89 грн
300+92.99 грн
525+82.41 грн
1050+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430A.pdf
IRFR430APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.93 грн
10+63.84 грн
75+58.87 грн
150+57.21 грн
300+55.55 грн
525+53.06 грн
1050+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR430APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.22 грн
10+81.16 грн
100+68.39 грн
500+52.91 грн
1000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF tf-irfr430apbf.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
75+83.77 грн
150+75.67 грн
525+60.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF tf-irfr430apbf.pdf
IRFR430APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430_vishay.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+16.71 грн
150+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.