Продукція > VISHAY > IRFR430ATRPBF
IRFR430ATRPBF

IRFR430ATRPBF Vishay

sihfr430.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
319+44.05 грн
333+42.28 грн
500+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR430ATRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 110W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.

Інші пропозиції IRFR430ATRPBF за ціною від 56.33 грн до 187.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF Vishay Siliconix sihfr430.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.04 грн
10+116.22 грн
100+79.70 грн
500+60.15 грн
1000+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF VISHAY VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF Vishay Semiconductors sihfr430.pdf MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF VISHAY VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF IR sihfr430.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
IRFR430ATRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.04 грн
10+116.22 грн
100+79.70 грн
500+60.15 грн
1000+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR430ATRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
IRFR430ATRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR430ATRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
Виробник: IR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.