IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.04 грн |
| 75+ | 60.86 грн |
| 150+ | 54.72 грн |
| 525+ | 43.16 грн |
| 1050+ | 39.61 грн |
| 2025+ | 36.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFR9014PBF-BE3 за ціною від 34.14 грн до 144.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9014PBF-BE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A |
на замовлення 7986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|