IRFR9014TRLPBF

IRFR9014TRLPBF Vishay Semiconductors


sihfr901.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET D
на замовлення 5127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.13 грн
10+ 73.55 грн
100+ 49.74 грн
500+ 42.13 грн
1000+ 34.32 грн
3000+ 32.31 грн
6000+ 30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9014TRLPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9014TRLPBF за ціною від 38.34 грн до 96.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.77 грн
10+ 76.08 грн
100+ 59.17 грн
500+ 47.07 грн
1000+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF Виробник : Vishay sihfr901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF Виробник : Vishay sihfr901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9014TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9014TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній