IRFR9014TRLPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.99 грн |
| 10+ | 86.00 грн |
| 100+ | 58.17 грн |
| 500+ | 43.42 грн |
| 1000+ | 41.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9014TRLPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції IRFR9014TRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9014TRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A |
на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR9014TRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)