Продукція > VISHAY / SILICONIX > IRFR9014TRPBF-BE3
IRFR9014TRPBF-BE3

IRFR9014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix

sihfr901.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
на замовлення 23808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.19 грн
10+72.42 грн
100+41.80 грн
500+32.99 грн
1000+29.75 грн
2000+24.11 грн
4000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9014TRPBF-BE3 за ціною від 149.61 грн до 149.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr901.pdf Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 IRFR9014TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY sihfr901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.