Продукція > VISHAY > IRFR9014TRPBF
IRFR9014TRPBF

IRFR9014TRPBF Vishay

sihfr901.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9014TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFR9014TRPBF за ціною від 34.93 грн до 93.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.72 грн
500+40.14 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 4625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.12 грн
10+55.04 грн
100+43.31 грн
500+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.56 грн
14+60.84 грн
100+43.72 грн
500+40.14 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr901.pdf MOSFETs TO252 P CHAN 60V
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.33 грн
10+63.81 грн
100+42.05 грн
500+38.38 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : Vishay sihfr901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Виробник : Vishay sihfr901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF Виробник : VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.