Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR9014TRPBF
IRFR9014TRPBF

IRFR9014TRPBF Vishay Siliconix

sihfr901.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9014TRPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR9014TRPBF за ціною від 23.32 грн до 137.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.35 грн
500+36.92 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Vishay Semiconductors sihfr901.pdf MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.68 грн
10+67.37 грн
100+38.89 грн
500+30.72 грн
1000+27.65 грн
2000+25.35 грн
4000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.84 грн
100+50.35 грн
500+36.92 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.47 грн
10+84.42 грн
100+57.11 грн
500+42.62 грн
1000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF VISH-S-A0013857026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+50.35 грн
500+36.92 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF sihfr901.pdf
IRFR9014TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.68 грн
10+67.37 грн
100+38.89 грн
500+30.72 грн
1000+27.65 грн
2000+25.35 грн
4000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF VISH-S-A0013857026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+75.84 грн
100+50.35 грн
500+36.92 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF sihfr901.pdf
IRFR9014TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.47 грн
10+84.42 грн
100+57.11 грн
500+42.62 грн
1000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.