Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR9024PBF-BE3
IRFR9024PBF-BE3

IRFR9024PBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfr902.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9024PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9024PBF-BE3 за ціною від 56.31 грн до 150.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9024PBF-BE3 IRFR9024PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.08 грн
10+110.89 грн
100+78.72 грн
500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3 IRFR9024PBF-BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihfr902.pdf MOSFETs TO252 P CHAN 60V
на замовлення 8647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.70 грн
10+122.67 грн
100+85.63 грн
250+78.37 грн
500+71.70 грн
1000+66.33 грн
3000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3 IRFR9024PBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.