на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 384+ | 33.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9024PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9024PBF - MOSFET, P-KANAL, D-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR9024PBF за ціною від 16.12 грн до 176.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp |
на замовлення 4883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 570 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR9024PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9024PBF - MOSFET, P-KANAL, D-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|