Продукція > HARRIS CORPORATION > IRFR9110

IRFR9110 Harris Corporation

HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
554+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9110 Harris Corporation

Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9110 за ціною від 57.36 грн до 57.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9110 Виробник : HARRIS HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfr911.pdf IRFR9110
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
531+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110 IRFR9110 Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110 IRFR9110 Виробник : Vishay Siliconix sihfr911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110 IRFR9110 Виробник : Vishay / Siliconix HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfr911.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.