на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 17.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR9110PBF за ціною від 26.47 грн до 98.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET |
на замовлення 3683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 6438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFR9110PBF | Виробник : VISHAY |
IRFR9110PBF SMD P channel transistors |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |