Продукція > VISHAY > IRFR9110PBF
IRFR9110PBF

IRFR9110PBF Vishay

sihfr911.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.76 грн
75+42.42 грн
150+41.55 грн
525+39.35 грн
1050+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR9110PBF за ціною від 35.46 грн до 141.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.23 грн
330+42.87 грн
337+41.99 грн
525+39.77 грн
1050+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Vishay Siliconix sihfr911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.55 грн
75+61.57 грн
150+55.40 грн
525+43.74 грн
1050+40.17 грн
2025+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF VISHAY VISH-S-A0013857010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Vishay Semiconductors sihfr911.pdf MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
IRFR9110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
320+44.23 грн
330+42.87 грн
337+41.99 грн
525+39.77 грн
1050+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
IRFR9110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.55 грн
75+61.57 грн
150+55.40 грн
525+43.74 грн
1050+40.17 грн
2025+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF VISH-S-A0013857010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9110PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
IRFR9110PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.