Продукція > VISHAY > IRFR9110PBF
IRFR9110PBF

IRFR9110PBF Vishay


sihfr911.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+40.27 грн
330+39.03 грн
337+38.23 грн
525+36.21 грн
1050+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9110PBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -3.1A, D-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR9110PBF за ціною від 28.19 грн до 139.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+42.68 грн
75+41.38 грн
150+40.53 грн
525+38.39 грн
1050+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : VISHAY IRFR9110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.70 грн
75+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr911.pdf MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.63 грн
10+44.34 грн
100+36.01 грн
500+32.38 грн
1000+29.36 грн
3000+28.47 грн
6000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : VISHAY IRFR9110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 802 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.64 грн
75+42.29 грн
24000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.68 грн
75+60.76 грн
150+54.67 грн
525+43.17 грн
1050+39.64 грн
2025+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9110PBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -3.1A, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.44 грн
18+46.58 грн
100+46.50 грн
500+43.10 грн
1000+39.72 грн
5000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.