| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.76 грн |
| 75+ | 42.42 грн |
| 150+ | 41.55 грн |
| 525+ | 39.35 грн |
| 1050+ | 35.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRFR9110PBF за ціною від 35.46 грн до 141.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR9110PBF | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Gate charge: 8.7nC Polarisation: unipolar Drain current: -2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω |
на замовлення 387 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFR9110PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR9110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 44.23 грн |
| 330+ | 42.87 грн |
| 337+ | 41.99 грн |
| 525+ | 39.77 грн |
| 1050+ | 35.46 грн |
| IRFR9110PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 89.21 грн |
| 10+ | 52.05 грн |
| 75+ | 44.52 грн |
| 150+ | 42.84 грн |
| IRFR9110PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.55 грн |
| 75+ | 61.57 грн |
| 150+ | 55.40 грн |
| 525+ | 43.74 грн |
| 1050+ | 40.17 грн |
| 2025+ | 37.31 грн |
| IRFR9110PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR9110PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)