Продукція > VISHAY > IRFR9110PBF
IRFR9110PBF

IRFR9110PBF Vishay


sihfr911.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFR9110PBF за ціною від 21.30 грн до 96.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+35.13 грн
75+34.06 грн
150+33.35 грн
525+31.59 грн
1050+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+38.24 грн
330+37.07 грн
337+36.30 грн
525+34.39 грн
1050+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : VISHAY IRFR9110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.82 грн
10+39.08 грн
40+22.53 грн
110+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : VISHAY IRFR9110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.38 грн
10+48.70 грн
40+27.04 грн
110+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 6438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
75+42.23 грн
5025+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.08 грн
13+63.88 грн
100+44.81 грн
500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr911.pdf MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.99 грн
10+49.41 грн
100+40.17 грн
24000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.