на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 15.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9110TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRFR9110TRPBF за ціною від 26.82 грн до 78.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET D |
на замовлення 14407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 4751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 11260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFR9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |