IRFR9110TRPBF

IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix


sihfr911.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR9110TRPBF за ціною від 27.16 грн до 140.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
275+46.77 грн
353+36.40 грн
367+35.03 грн
500+33.37 грн
1000+29.52 грн
2000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr911.pdf MOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.24 грн
10+68.55 грн
100+45.28 грн
500+42.19 грн
1000+39.86 грн
2000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.38 грн
10+62.65 грн
100+48.73 грн
500+38.70 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.06 грн
10+89.64 грн
100+59.38 грн
500+45.04 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.