IRFR9120PBF-BE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.27 грн |
| 10+ | 148.39 грн |
| 25+ | 65.80 грн |
| 100+ | 58.10 грн |
| 500+ | 53.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9120PBF-BE3 Vishay Semiconductors
Description: P-CHANNEL 100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9120PBF-BE3 за ціною від 53.32 грн до 170.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9120PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 100VPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR9120PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |