
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 49.25 грн |
14+ | 45.74 грн |
25+ | 45.64 грн |
100+ | 41.03 грн |
250+ | 37.61 грн |
500+ | 35.74 грн |
1000+ | 35.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9120TRLPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9120TRLPBF за ціною від 38.23 грн до 87.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR9120TRLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IRFR9120TRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IRFR9120TRLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |