Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR9120TRLPBF
IRFR9120TRLPBF

IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix

sihfr912.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9120TRLPBF за ціною від 32.89 грн до 105.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Виробник : Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
208+56.13 грн
211+ 55.56 грн
232+ 50.38 грн
250+ 48.1 грн
500+ 40.16 грн
1000+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 208
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Виробник : Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.89 грн
12+ 52.12 грн
25+ 51.59 грн
100+ 45.11 грн
250+ 41.36 грн
500+ 35.8 грн
1000+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr912.pdf MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET D
на замовлення 8218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.12 грн
10+ 74.82 грн
100+ 52.08 грн
500+ 44.82 грн
1000+ 42.89 грн
9000+ 41.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.17 грн
10+ 82.62 грн
100+ 64.25 грн
500+ 51.11 грн
1000+ 41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Виробник : Vishay 91280.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Виробник : Vishay sihfr912.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9120TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr912.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9120TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr912.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній