на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.74 грн |
| 10+ | 105.75 грн |
| 100+ | 73.20 грн |
| 250+ | 67.17 грн |
| 500+ | 60.99 грн |
| 1000+ | 59.44 грн |
| 3000+ | 50.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9210PBF-BE3 Vishay Semiconductors
Description: P-CHANNEL 200V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9210PBF-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9210PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 200VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |