IRFR9210PBF-BE3 Vishay Siliconix


sihfr921.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9210PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRFR9210PBF-BE3 за ціною від 42.11 грн до 162.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR9210PBF-BE3 IRFR9210PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.83 грн
10+100.08 грн
100+68.29 грн
500+51.32 грн
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF-BE3 IRFR9210PBF-BE3 Vishay Semiconductors sihfr921.pdf MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.12 грн
10+106.00 грн
100+63.68 грн
500+50.62 грн
1000+48.88 грн
3000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF-BE3 sihfr921.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+161.83 грн
10+100.08 грн
100+68.29 грн
500+51.32 грн
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF-BE3 sihfr921.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+162.12 грн
10+106.00 грн
100+63.68 грн
500+50.62 грн
1000+48.88 грн
3000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.