на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 17.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9210PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR9210PBF за ціною від 20.10 грн до 118.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9210PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR9210PBF | Виробник : Vishay/IR |
P-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 1,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25; Qg, нКл = 8,9 @ 10 В; Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 25; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR9210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR9210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1.2A Pulsed drain current: -7.6A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |