Продукція > VISHAY > IRFR9210TRPBF
IRFR9210TRPBF

IRFR9210TRPBF Vishay

sihfr921.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
550+22.14 грн
556+21.92 грн
574+21.23 грн
575+20.43 грн
588+18.49 грн
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9210TRPBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9210TRPBF за ціною від 16.33 грн до 100.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.25 грн
29+24.25 грн
30+23.23 грн
31+22.18 грн
100+20.32 грн
250+19.47 грн
500+19.34 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr921.pdf MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.86 грн
10+59.85 грн
100+47.11 грн
500+43.46 грн
1000+38.07 грн
2000+31.00 грн
4000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+78.75 грн
100+61.25 грн
500+48.72 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay 91281.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B313C7700143&compId=IRFR9210.pdf?ci_sign=f015e629e9458f27794481b612a8d891b1b3fab2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B313C7700143&compId=IRFR9210.pdf?ci_sign=f015e629e9458f27794481b612a8d891b1b3fab2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.