| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 64.79 грн |
| 10000+ | 63.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9210TRPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9210TRPBF за ціною від 49.73 грн до 205.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR9210TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFR9210TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFR9210TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFR9210TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFR9210TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET |
на замовлення 40 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IRFR9210TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 64.79 грн |
| 10000+ | 63.11 грн |
| IRFR9210TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 123.77 грн |
| 181+ | 81.18 грн |
| 500+ | 65.79 грн |
| IRFR9210TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.23 грн |
| 10+ | 118.67 грн |
| 50+ | 90.17 грн |
| 100+ | 75.98 грн |
| IRFR9210TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 198.81 грн |
| 10+ | 123.77 грн |
| 100+ | 81.18 грн |
| 500+ | 63.44 грн |
| IRFR9210TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.39 грн |
| 10+ | 98.63 грн |
| 100+ | 61.84 грн |
| 2000+ | 49.73 грн |





