Продукція > VISHAY > IRFR9210TRPBF
IRFR9210TRPBF

IRFR9210TRPBF Vishay


sihfr921.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
630+19.63 грн
636+19.44 грн
639+18.64 грн
643+17.17 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 630
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9210TRPBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9210TRPBF за ціною від 15.80 грн до 87.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.71 грн
33+21.66 грн
34+20.08 грн
100+18.51 грн
250+17.75 грн
500+17.66 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.72 грн
10+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr921.pdf MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.69 грн
10+56.21 грн
100+44.58 грн
500+42.63 грн
1000+40.44 грн
2000+34.72 грн
4000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay 91281.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B313C7700143&compId=IRFR9210.pdf?ci_sign=f015e629e9458f27794481b612a8d891b1b3fab2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.