| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 111.71 грн |
| 179+ | 79.09 грн |
| 500+ | 72.31 грн |
| 1000+ | 64.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9220PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.
Інші пропозиції IRFR9220PBF за ціною від 56.22 грн до 207.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR9220PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR9220PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR9220PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 9265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFR9220PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFR9220PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.43 грн |
| 75+ | 89.84 грн |
| 150+ | 81.36 грн |
| 525+ | 65.03 грн |
| 1050+ | 60.14 грн |
| 2025+ | 56.22 грн |
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 207.73 грн |
| 10+ | 111.64 грн |
| 100+ | 79.04 грн |
| 500+ | 69.68 грн |
| 1000+ | 59.72 грн |
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
MOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






