| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 822+ | 17.21 грн |
| 835+ | 16.94 грн |
| 849+ | 16.67 грн |
| 863+ | 15.82 грн |
| 877+ | 14.40 грн |
| 1000+ | 13.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9220TRLPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9220TRLPBF за ціною від 13.59 грн до 202.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR9220TRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9220TRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9220TRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9220TRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR9220TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 62.78 грн |
| 44+ | 17.21 грн |
| 45+ | 16.34 грн |
| 100+ | 14.88 грн |
| 250+ | 14.06 грн |
| 500+ | 13.83 грн |
| 1000+ | 13.59 грн |
| IRFR9220TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 182+ | 77.88 грн |
| IRFR9220TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
MOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.97 грн |
| 10+ | 111.05 грн |
| 100+ | 66.68 грн |
| 500+ | 56.53 грн |
| 1000+ | 50.04 грн |
| 3000+ | 47.29 грн |
| 6000+ | 44.90 грн |
| IRFR9220TRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.20 грн |
| 10+ | 126.29 грн |
| 100+ | 87.34 грн |
| 500+ | 68.48 грн |





