на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 52.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9220TRPBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9220TRPBF-BE3 за ціною від 60.84 грн до 107.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9220TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 3132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFR9220TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET |
на замовлення 12495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |