Продукція > VISHAY > IRFR9220TRPBF
IRFR9220TRPBF

IRFR9220TRPBF Vishay


sihfr922.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+19.5 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9220TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFR9220TRPBF за ціною від 30.87 грн до 94.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+35.74 грн
6000+ 32.78 грн
10000+ 31.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : Vishay sihfr922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+39.07 грн
25+ 38.45 грн
100+ 36.49 грн
250+ 33.24 грн
500+ 31.39 грн
1000+ 30.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : Vishay sihfr922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+42.07 грн
282+ 41.41 грн
287+ 40.76 грн
292+ 38.66 грн
500+ 35.21 грн
1000+ 33.24 грн
Мінімальне замовлення: 278
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr922.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET D
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.24 грн
10+ 65.55 грн
100+ 45.22 грн
500+ 36.16 грн
1000+ 34.1 грн
2000+ 34.03 грн
4000+ 31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 12327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.44 грн
10+ 68.12 грн
100+ 52.95 грн
500+ 42.12 грн
1000+ 34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.87 грн
11+ 68.73 грн
100+ 50.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR9220TRPBF
Код товару: 166997
sihfr922.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : Vishay sihfr922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Виробник : VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній