Інші пропозиції IRFR9220TRPBF за ціною від 39.50 грн до 219.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9220TRPBF | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9220TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9220TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR9220TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 4059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR9220TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IRFR9220TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR9220TRPBF | Vishay |
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори |
на замовлення 300 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.78 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.78 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 68.57 грн |
| 4000+ | 61.92 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 113.00 грн |
| 127+ | 111.87 грн |
| 188+ | 75.49 грн |
| 250+ | 72.07 грн |
| 500+ | 51.10 грн |
| 1000+ | 41.89 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 135.72 грн |
| 5+ | 97.50 грн |
| 10+ | 85.07 грн |
| 50+ | 63.01 грн |
| 100+ | 56.38 грн |
| 125+ | 54.47 грн |
| 250+ | 49.33 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 154.28 грн |
| 10+ | 115.62 грн |
| 25+ | 114.46 грн |
| 100+ | 72.79 грн |
| 250+ | 66.73 грн |
| 500+ | 49.06 грн |
| 1000+ | 39.50 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 155.37 грн |
| 123+ | 115.11 грн |
| 138+ | 102.96 грн |
| 143+ | 95.98 грн |
| 250+ | 80.38 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.30 грн |
| 10+ | 137.15 грн |
| 100+ | 94.83 грн |
| 500+ | 72.01 грн |
| 1000+ | 69.49 грн |
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
MOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR9220TRPBF |
|
Виробник: Vishay
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)