на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 23.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9310PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR9310PBF за ціною від 35.56 грн до 124.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9310PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9310PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp |
на замовлення 5106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9310PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 16405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9310PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 695 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFR9310PBF |
IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 945 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |