Продукція > VISHAY > IRFR9310PBF
IRFR9310PBF

IRFR9310PBF Vishay

sihfr931.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9310PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR9310PBF за ціною від 33.95 грн до 165.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
343+36.26 грн
344+36.18 грн
500+36.16 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+51.14 грн
245+50.93 грн
500+50.86 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.43 грн
19+38.92 грн
100+38.82 грн
500+37.42 грн
1000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+72.88 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.81 грн
14+53.29 грн
100+53.11 грн
500+51.15 грн
1000+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.05 грн
10+50.21 грн
100+43.51 грн
500+43.43 грн
1000+42.05 грн
9000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.15 грн
10+51.63 грн
75+45.64 грн
150+42.20 грн
525+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.64 грн
13+54.79 грн
100+54.57 грн
500+52.54 грн
1000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.06 грн
17+53.63 грн
100+52.85 грн
500+49.00 грн
1000+45.15 грн
5000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.98 грн
10+64.34 грн
75+54.77 грн
150+50.64 грн
525+44.60 грн
1050+41.82 грн
2025+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.17 грн
75+72.55 грн
150+65.36 грн
525+51.75 грн
1050+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.