Продукція > VISHAY > IRFR9310PBF
IRFR9310PBF

IRFR9310PBF Vishay

sihfr931.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9310PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR9310PBF за ціною від 27.71 грн до 133.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+35.75 грн
343+35.41 грн
500+35.25 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.27 грн
246+49.42 грн
500+49.04 грн
1000+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.67 грн
19+38.53 грн
100+38.14 грн
500+36.62 грн
1000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+52.26 грн
238+51.19 грн
500+50.72 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+96.59 грн
13+53.86 грн
100+52.95 грн
500+50.66 грн
1000+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
75+45.05 грн
150+44.73 грн
525+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.89 грн
10+48.64 грн
100+41.69 грн
500+41.61 грн
3000+41.54 грн
9000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.69 грн
17+51.61 грн
100+51.27 грн
500+47.29 грн
1000+43.58 грн
5000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.39 грн
10+55.03 грн
32+29.37 грн
88+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.61 грн
13+55.99 грн
100+54.85 грн
500+52.40 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.67 грн
10+68.58 грн
32+35.25 грн
88+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF sihfr931.pdf IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.