на замовлення 14200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.41 грн |
10+ | 64.47 грн |
100+ | 47.23 грн |
500+ | 42.11 грн |
1000+ | 39.39 грн |
3000+ | 39.32 грн |
9000+ | 38.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9310TRLPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9310TRLPBF за ціною від 50.96 грн до 100.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR9310TRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFR9310TRLPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
IRFR9310TRLPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFR9310TRLPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFR9310TRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -7.2A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFR9310TRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFR9310TRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -7.2A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 |
товар відсутній |