IRFR9310TRLPBF

IRFR9310TRLPBF Vishay Semiconductors


sihfr931.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 14200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.41 грн
10+ 64.47 грн
100+ 47.23 грн
500+ 42.11 грн
1000+ 39.39 грн
3000+ 39.32 грн
9000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9310TRLPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR9310TRLPBF за ціною від 50.96 грн до 100.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.6 грн
10+ 80.61 грн
100+ 64.18 грн
500+ 50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Виробник : VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
товар відсутній