IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 48.80 грн |
| 4000+ | 43.84 грн |
| 6000+ | 42.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9310TRPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR9310TRPBF за ціною від 36.84 грн до 178.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp |
на замовлення 15505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Gate charge: 13nC Power dissipation: 50W On-state resistance: 7Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 7731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR9310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |