IRFRC20 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFRC20 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFRC20 за ціною від 128.16 грн до 128.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFRC20 | Виробник : IR | Транзистор полевой БМ D-Pak Udss=600V; Id=2A; Pdmax=42W; Rds=4,4 Ohm |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||
IRFRC20 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||
IRFRC20 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
IRFRC20 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFRC20PBF |
товар відсутній |