IRFRC20PBF-BE3 Vishay Siliconix


sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFRC20PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 600V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRFRC20PBF-BE3 за ціною від 45.39 грн до 172.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFRC20PBF-BE3 IRFRC20PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.40 грн
10+105.07 грн
100+71.94 грн
500+54.19 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3 IRFRC20PBF-BE3 Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 8749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+112.42 грн
100+67.24 грн
500+53.84 грн
1000+52.58 грн
3000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3 sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.40 грн
10+105.07 грн
100+71.94 грн
500+54.19 грн
1000+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3 sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 8749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.71 грн
10+112.42 грн
100+67.24 грн
500+53.84 грн
1000+52.58 грн
3000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.