Продукція > VISHAY > IRFRC20PBF
IRFRC20PBF

IRFRC20PBF Vishay

sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFRC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFRC20PBF за ціною від 29.04 грн до 200.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+35.78 грн
350+35.42 грн
353+35.07 грн
357+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.33 грн
25+37.95 грн
50+36.23 грн
100+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.12 грн
10+47.86 грн
3000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.82 грн
8+52.03 грн
10+47.17 грн
31+30.71 грн
84+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.58 грн
5+64.83 грн
10+56.61 грн
31+36.85 грн
84+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.46 грн
16+55.51 грн
100+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF
Код товару: 110642
Додати до обраних Обраний товар

sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.