Продукція > VISHAY > IRFRC20PBF
IRFRC20PBF

IRFRC20PBF Vishay


sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+49.01 грн
316+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 239
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFRC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFRC20PBF за ціною від 25.25 грн до 86.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.73 грн
13+ 45.51 грн
100+ 34.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.28 грн
11+ 33.44 грн
25+ 29.76 грн
30+ 27.05 грн
75+ 26.71 грн
83+ 25.67 грн
300+ 25.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
7+ 41.67 грн
25+ 35.71 грн
30+ 32.46 грн
75+ 32.05 грн
83+ 30.8 грн
300+ 30.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 6709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.3 грн
10+ 62.57 грн
100+ 42.35 грн
500+ 35.89 грн
1000+ 29.23 грн
3000+ 27.5 грн
6000+ 26.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.84 грн
75+ 63.65 грн
150+ 50.44 грн
525+ 40.13 грн
1050+ 32.69 грн
2025+ 30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+86.66 грн
12+ 67.16 грн
100+ 48.48 грн
500+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFRC20PBF IRFRC20PBF
Код товару: 110642
sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній