Продукція > VISHAY > IRFRC20PBF
IRFRC20PBF

IRFRC20PBF Vishay

sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
422+30.45 грн
428+30.02 грн
500+29.40 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 422
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFRC20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFRC20PBF за ціною від 27.17 грн до 128.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.25 грн
23+32.62 грн
100+32.17 грн
500+30.37 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+106.71 грн
11+41.12 грн
75+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.05 грн
18+47.06 грн
100+44.02 грн
500+37.31 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.05 грн
10+51.24 грн
75+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.85 грн
10+58.38 грн
100+48.16 грн
500+43.49 грн
1000+40.06 грн
3000+27.92 грн
9000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF
Код товару: 110642
Додати до обраних Обраний товар

sihfrc20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.