Продукція > VISHAY > IRFRC20TRLPBF
IRFRC20TRLPBF

IRFRC20TRLPBF Vishay

sihfrc20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+14.39 грн
860+14.17 грн
874+13.94 грн
888+13.22 грн
903+12.04 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFRC20TRLPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFRC20TRLPBF за ціною від 12.18 грн до 87.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.20 грн
45+15.66 грн
46+14.64 грн
100+13.34 грн
250+12.59 грн
500+12.39 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 7312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.55 грн
100+68.42 грн
500+59.34 грн
3000+48.40 грн
9000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.79 грн
11+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA9928808953140C7&compId=irfrc20.pdf?ci_sign=993c973bcd4dc2fc4240e546e118380fc018e98e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA9928808953140C7&compId=irfrc20.pdf?ci_sign=993c973bcd4dc2fc4240e546e118380fc018e98e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.