Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFRC20TRPBF
IRFRC20TRPBF

IRFRC20TRPBF

sihfrc20.pdf
Код товару: 40234
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+29.00 грн
10+25.60 грн
100+22.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFRC20TRPBF за ціною від 27.91 грн до 132.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.89 грн
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.89 грн
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.33 грн
4000+34.00 грн
6000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.39 грн
4000+34.06 грн
6000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.60 грн
8000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+60.17 грн
100+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.23 грн
10+87.16 грн
100+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.39 грн
10+81.87 грн
100+53.78 грн
2000+49.48 грн
4000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+33.89 грн
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+33.89 грн
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+34.33 грн
4000+34.00 грн
6000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+34.39 грн
4000+34.06 грн
6000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+55.60 грн
8000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
10+60.17 грн
100+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFRC20TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.23 грн
10+87.16 грн
100+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.39 грн
10+81.87 грн
100+53.78 грн
2000+49.48 грн
4000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.