IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 50.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFRC20TRPBF за ціною від 22.60 грн до 111.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 4.4Ω Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Power dissipation: 42W Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 4528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 4.4Ω Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Power dissipation: 42W Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF Код товару: 40234
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |