Інші пропозиції IRFRC20TRPBF за ціною від 27.48 грн до 130.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 4528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFRC20TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET |
на замовлення 2594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|