IRFRC20TRPBF


sihfrc20.pdf
Код товару: 40234
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+29.00 грн
10+25.60 грн
100+22.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFRC20TRPBF за ціною від 28.75 грн до 141.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.56 грн
6000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.54 грн
4000+35.20 грн
6000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay sihfrc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.46 грн
8000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 13898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.35 грн
10+73.04 грн
50+54.76 грн
100+45.85 грн
500+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Vishay Semiconductors sihfrc20.pdf MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.01 грн
10+87.20 грн
100+57.28 грн
2000+52.70 грн
4000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.56 грн
6000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.54 грн
4000+35.20 грн
6000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+57.46 грн
8000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 13898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.35 грн
10+73.04 грн
50+54.76 грн
100+45.85 грн
500+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.01 грн
10+87.20 грн
100+57.28 грн
2000+52.70 грн
4000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF VISH-S-A0013857042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.