| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 128.13 грн |
| 150+ | 127.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
115 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS11N50APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS11N50APBF за ціною від 41.35 грн до 326.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 7215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.13 грн |
| 75+ | 128.13 грн |
| 150+ | 127.84 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 134.92 грн |
| 19+ | 41.55 грн |
| 75+ | 41.35 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 160.64 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 170.74 грн |
| 88+ | 166.21 грн |
| 89+ | 164.55 грн |
| 90+ | 157.09 грн |
| 101+ | 129.87 грн |
| 500+ | 100.69 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 178.13 грн |
| 91+ | 162.22 грн |
| 150+ | 138.10 грн |
| 525+ | 127.14 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 178.36 грн |
| 75+ | 162.43 грн |
| 150+ | 138.29 грн |
| 525+ | 127.30 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 200.40 грн |
| 91+ | 161.56 грн |
| 100+ | 147.28 грн |
| 500+ | 128.47 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 248.28 грн |
| 68+ | 215.54 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 258.78 грн |
| 60+ | 244.65 грн |
| 91+ | 160.88 грн |
| 100+ | 144.66 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.39 грн |
| 5+ | 205.87 грн |
| 8+ | 126.23 грн |
| 22+ | 118.61 грн |
| 100+ | 116.91 грн |
| 150+ | 114.37 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.34 грн |
| 10+ | 186.65 грн |
| 75+ | 136.39 грн |
| 150+ | 116.50 грн |
| 525+ | 100.17 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 316.19 грн |
| 10+ | 150.22 грн |
| 100+ | 118.62 грн |
| 500+ | 103.60 грн |
| 2000+ | 99.10 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 326.33 грн |
| 49+ | 302.13 грн |
| 83+ | 177.01 грн |
| 100+ | 156.93 грн |
| 500+ | 129.87 грн |
| 1000+ | 109.55 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








