Продукція > VISHAY > IRFS11N50APBF
IRFS11N50APBF

IRFS11N50APBF Vishay

91286.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS11N50APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFS11N50APBF за ціною від 81.22 грн до 322.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+142.19 грн
88+138.42 грн
89+137.03 грн
90+130.82 грн
101+108.15 грн
500+83.85 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+181.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+197.56 грн
10+180.13 грн
25+135.42 грн
100+115.38 грн
500+94.43 грн
1000+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+210.59 грн
64+192.00 грн
85+144.36 грн
100+122.99 грн
500+100.66 грн
1000+86.57 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay Siliconix vis-irfs11n50apbf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.06 грн
75+133.19 грн
150+113.92 грн
525+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.96 грн
8+111.87 грн
22+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+248.05 грн
10+217.83 грн
25+165.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+267.13 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.15 грн
8+139.41 грн
22+126.99 грн
250+125.18 грн
500+122.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0001109995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.78 грн
10+270.26 грн
100+160.37 грн
500+110.36 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay Semiconductors vis-irfs11n50apbf.pdf MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.56 грн
25+179.42 грн
100+142.23 грн
250+134.25 грн
500+115.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.