Продукція > VISHAY > IRFS11N50APBF
IRFS11N50APBF

IRFS11N50APBF Vishay


91286.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS11N50APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.52ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFS11N50APBF за ціною від 72.17 грн до 197.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : VISHAY IRFS11N50A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 52nC
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.4 грн
9+ 95.49 грн
24+ 89.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
86+136.01 грн
88+ 132.4 грн
89+ 131.07 грн
90+ 125.13 грн
101+ 103.45 грн
500+ 80.21 грн
Мінімальне замовлення: 86
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+137.73 грн
10+ 137.66 грн
25+ 128.72 грн
50+ 122.66 грн
100+ 96.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+148.25 грн
84+ 138.62 грн
85+ 132.1 грн
100+ 104.16 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+150.97 грн
10+ 150.16 грн
25+ 136.84 грн
50+ 129.42 грн
100+ 97.52 грн
500+ 77.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0001109995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.52ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+155.74 грн
10+ 149.78 грн
25+ 134.13 грн
100+ 109.33 грн
500+ 87.5 грн
1000+ 74.73 грн
3000+ 72.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+162.12 грн
73+ 161.25 грн
80+ 146.94 грн
81+ 138.98 грн
100+ 104.72 грн
500+ 82.9 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : VISHAY IRFS11N50A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 170W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 52nC
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.47 грн
3+ 150.03 грн
9+ 114.58 грн
24+ 107.94 грн
250+ 107.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay Semiconductors 91286.pdf MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.89 грн
25+ 159.65 грн
100+ 106.95 грн
250+ 103.62 грн
500+ 99.64 грн
1000+ 85.69 грн
2000+ 85.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+183.42 грн
25+ 161.84 грн
100+ 125.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay Siliconix 91286.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.54 грн
75+ 143.24 грн
150+ 122.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Виробник : Vishay 91286.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+197.52 грн
Мінімальне замовлення: 59