Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS11N50APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFS11N50APBF за ціною від 40.02 грн до 268.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS11N50APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 127.86 грн |
| 75+ | 123.99 грн |
| 150+ | 123.71 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 130.55 грн |
| 19+ | 40.21 грн |
| 75+ | 40.02 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 83+ | 172.37 грн |
| 91+ | 156.97 грн |
| 150+ | 133.64 грн |
| 525+ | 123.03 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 172.60 грн |
| 75+ | 157.18 грн |
| 150+ | 133.82 грн |
| 525+ | 123.18 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.38 грн |
| 5+ | 139.99 грн |
| 10+ | 132.35 грн |
| 50+ | 115.38 грн |
| 100+ | 114.53 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 240.25 грн |
| 68+ | 208.57 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.20 грн |
| 10+ | 132.12 грн |
| 100+ | 104.31 грн |
| 500+ | 93.04 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.80 грн |
| 75+ | 124.20 грн |
| 150+ | 113.05 грн |
| 525+ | 91.21 грн |
| 1050+ | 84.78 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






