IRFS840B
Виробник:
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS840B
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції IRFS840B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS840B | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |