Продукція > VISHAY > IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF Vishay

sihs9n60.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm.

Інші пропозиції IRFS9N60APBF за ціною від 64.11 грн до 241.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.42 грн
9+ 91.96 грн
24+ 87.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+122.37 грн
100+ 116.9 грн
250+ 112.21 грн
500+ 104.3 грн
Мінімальне замовлення: 96
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+143.46 грн
Мінімальне замовлення: 82
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+169.15 грн
77+ 151.73 грн
137+ 85.52 грн
138+ 81.64 грн
250+ 74.84 грн
500+ 71.12 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+171.45 грн
10+ 152.35 грн
25+ 125.69 грн
100+ 73.58 грн
250+ 67.45 грн
500+ 64.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.06 грн
3+ 148.81 грн
9+ 110.36 грн
24+ 104.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+184.11 грн
72+ 163.6 грн
87+ 134.96 грн
143+ 79.01 грн
250+ 72.43 грн
500+ 68.84 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.65 грн
50+ 169.17 грн
100+ 145 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.14 грн
10+ 185.63 грн
25+ 127.16 грн
100+ 112 грн
250+ 106.73 грн
500+ 100.15 грн
1000+ 99.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+224.26 грн
10+ 189.65 грн
25+ 149.98 грн
100+ 127.24 грн
250+ 112.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+241.51 грн
58+ 204.23 грн
73+ 161.52 грн
100+ 137.03 грн
250+ 120.64 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+241.68 грн
10+ 152.25 грн
100+ 133.78 грн
500+ 116.67 грн
1000+ 106.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay / Siliconix sihs9n60.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
товар відсутній
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFS9N60A IRFS9N60A
Код товару: 77974 		Виробник : Vishay irfs9n60a_datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
Монтаж: SMD
товар відсутній