Продукція > VISHAY > IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF Vishay

sihs9n60.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFS9N60APBF за ціною від 74.35 грн до 291.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.05 грн
104+117.55 грн
250+112.83 грн
500+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+136.59 грн
100+131.53 грн
500+131.20 грн
1000+124.81 грн
2000+115.30 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.53 грн
50+114.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+166.67 грн
10+157.23 грн
25+114.98 грн
100+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.79 грн
10+171.66 грн
100+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+176.82 грн
77+158.60 грн
137+89.40 грн
138+85.35 грн
250+78.23 грн
500+74.35 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+177.66 грн
73+167.60 грн
100+122.56 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+191.47 грн
73+169.12 грн
87+141.20 грн
89+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+196.45 грн
10+181.80 грн
25+122.51 грн
100+111.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+211.57 грн
63+195.79 грн
93+131.93 грн
100+120.48 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.87 грн
10+211.51 грн
25+114.03 грн
1000+113.30 грн
5000+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.63 грн
9+104.22 грн
24+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.16 грн
9+129.88 грн
24+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60A IRFS9N60A
Код товару: 77974
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay irfs9n60a_datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5,8 A
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay / Siliconix sihs9n60.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60A IRFS9N60A Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.