Продукція > VISHAY > IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF Vishay

sihs9n60.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
87+162.62 грн
114+123.85 грн
120+117.88 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS9N60APBF за ціною від 99.16 грн до 310.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.82 грн
10+124.01 грн
100+118.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.30 грн
10+129.27 грн
100+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.30 грн
110+129.27 грн
116+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
Power dissipation: 170W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.59 грн
10+108.35 грн
50+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.82 грн
65+217.30 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.60 грн
10+115.69 грн
100+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.83 грн
10+139.91 грн
100+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.93 грн
50+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+162.82 грн
10+124.01 грн
100+118.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+173.30 грн
10+129.27 грн
100+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
82+173.30 грн
110+129.27 грн
116+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
Power dissipation: 170W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+210.59 грн
10+108.35 грн
50+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
63+224.82 грн
65+217.30 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+248.60 грн
10+115.69 грн
100+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+297.83 грн
10+139.91 грн
100+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+310.93 грн
50+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.