IRFS9N60ATRLPBF
Код товару: 44716
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFS9N60ATRLPBF за ціною від 69.84 грн до 302.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS9N60ATRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS9N60ATRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS9N60ATRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS9N60ATRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFS9N60ATRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.19 грн |
| 160+ | 88.05 грн |
| 162+ | 87.17 грн |
| 166+ | 81.91 грн |
| 250+ | 72.75 грн |
| IRFS9N60ATRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 152.83 грн |
| 9+ | 91.19 грн |
| 10+ | 88.05 грн |
| 25+ | 84.06 грн |
| 100+ | 75.84 грн |
| 250+ | 69.84 грн |
| IRFS9N60ATRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.50 грн |
| 10+ | 192.87 грн |
| 100+ | 136.66 грн |
| IRFS9N60ATRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




