Продукція > VISHAY > IRFS9N60ATRLPBF
IRFS9N60ATRLPBF

IRFS9N60ATRLPBF Vishay

sihs9n60.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+142.03 грн
10+130.43 грн
100+118.22 грн
500+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS9N60ATRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFS9N60ATRLPBF за ціною від 113.02 грн до 279.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+210.96 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.52 грн
10+175.53 грн
100+137.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.13 грн
10+210.15 грн
25+182.01 грн
100+142.38 грн
800+113.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF
Код товару: 44716
Додати до обраних Обраний товар

sihs9n60.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992910C4D40E0C7&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=af0385a689137498bdc05444fff20101cbaeca6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992910C4D40E0C7&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=af0385a689137498bdc05444fff20101cbaeca6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.