на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 236+ | 54.64 грн |
| 239+ | 53.78 грн |
| 243+ | 52.92 грн |
| 247+ | 50.21 грн |
| 251+ | 45.72 грн |
| 500+ | 43.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS9N60ATRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFS9N60ATRLPBF за ціною від 46.24 грн до 307.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS9N60ATRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS9N60ATRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS9N60ATRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS9N60ATRLPBF Код товару: 44716
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS9N60ATRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFS9N60ATRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFS9N60ATRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 37A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |