IRFSL11N50APBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.89 грн |
| 4+ | 110.71 грн |
| 10+ | 84.42 грн |
| 27+ | 80.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL11N50APBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFSL11N50APBF за ціною від 96.32 грн до 251.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFSL11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 190W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 656 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFSL11N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 500V N-CH HEXFET TO-26 |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFSL11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFSL11N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V |
товар відсутній |