Продукція > VISHAY > IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634 Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.09 грн
4+120.94 грн
10+92.22 грн
27+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL11N50APBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFSL11N50APBF за ціною від 104.31 грн до 314.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.90 грн
3+150.71 грн
10+110.66 грн
27+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.09 грн
10+223.65 грн
25+116.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF
Код товару: 206444
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Виробник : Vishay 91288.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.