IRFSL11N50APBF Vishay Semiconductors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 329.73 грн |
| 10+ | 213.79 грн |
| 100+ | 141.31 грн |
| 500+ | 115.93 грн |
| 1000+ | 111.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL11N50APBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFSL11N50APBF за ціною від 109.99 грн до 159.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL11N50APBF | Виробник : VISHAY |
 IRFSL11N50APBF THT N channel transistors |
на замовлення 441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IRFSL11N50APBF Код товару: 206444
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IRFSL11N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |