IRFU024PBF
Код товару: 49505
Виробник: IRКорпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Монтаж: THT
у наявності 15 шт:
5 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 100.00 грн |
| 10+ | 92.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFU024PBF за ціною від 48.11 грн до 156.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A |
на замовлення 7728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFU024PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRFU024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRFU024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


