IRFU024PBF
Код товару: 49505
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 14 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 640/25
Примітка: MOSFET
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 100.00 грн |
| 10+ | 92.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFU024PBF за ціною від 41.95 грн до 175.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU024PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFU024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFU024PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFU024PBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 114.29 грн |
| 7+ | 64.01 грн |
| 10+ | 61.11 грн |
| 25+ | 58.54 грн |
| 50+ | 56.30 грн |
| 75+ | 54.47 грн |
| 150+ | 51.41 грн |
| 1050+ | 43.86 грн |
| IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.13 грн |
| 75+ | 77.45 грн |
| 150+ | 69.88 грн |
| 525+ | 55.47 грн |
| 1050+ | 51.09 грн |
| 2025+ | 47.59 грн |
| IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
MOSFETs TO251 N-CH 60V 14A
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 14 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 41.95 грн |





