| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 33.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
24 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFU110PBF за ціною від 20.21 грн до 175.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU110PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 6214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 6225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFU110PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFU110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 350+ | 41.96 грн |
| 387+ | 37.95 грн |
| 396+ | 37.05 грн |
| 525+ | 35.37 грн |
| 1050+ | 30.11 грн |
| 2025+ | 28.26 грн |
| 5025+ | 27.97 грн |
| IRFU110PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 89.60 грн |
| 10+ | 56.37 грн |
| 46+ | 21.40 грн |
| 125+ | 20.21 грн |
| IRFU110PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.68 грн |
| 10+ | 73.28 грн |
| 100+ | 49.20 грн |
| 500+ | 39.05 грн |
| 1000+ | 36.94 грн |
| 3000+ | 35.51 грн |
| 6000+ | 30.40 грн |
| IRFU110PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.94 грн |
| 10+ | 94.60 грн |
| 75+ | 66.77 грн |
| 150+ | 56.27 грн |
| 525+ | 47.17 грн |
| IRFU110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 175.55 грн |
| 75+ | 78.15 грн |
| 150+ | 70.03 грн |
| 525+ | 56.38 грн |
| 1050+ | 47.71 грн |
| 2025+ | 42.37 грн |
| 5025+ | 38.45 грн |
| IRFU110PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFU110PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)