на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 16.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFU110PBF за ціною від 24.37 грн до 163.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 6214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 8362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 6225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |