IRFU120PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 54.69 грн |
| 9+ | 38.16 грн |
| 25+ | 33.77 грн |
| 28+ | 29.25 грн |
| 75+ | 27.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU120PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU120PBF за ціною від 22.3 грн до 71.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK |
на замовлення 5307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU120PBF Код товару: 114583 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFU120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |