Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFU120PBF
IRFU120PBF

IRFU120PBF

sihfr120.pdf
Код товару: 114583
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU120PBF

  • MOSFET, N, 100V, 7.7A, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:7.7A
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.27ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:0W
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:7.7A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:270ohm
  • Power Dissipation Pd:42W
  • Pulse Current Idm:31A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Turn Off Time, t Off:14ns
  • Turn On Time, t On:27ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRFU120PBF за ціною від 36.42 грн до 138.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay sihfr120.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.35 грн
900+44.18 грн
1350+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay Siliconix sihfr120.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.71 грн
75+60.28 грн
150+54.20 грн
525+42.75 грн
1050+39.23 грн
2025+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay Semiconductors sihfr120.pdf description MOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+48.35 грн
900+44.18 грн
1350+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.71 грн
75+60.28 грн
150+54.20 грн
525+42.75 грн
1050+39.23 грн
2025+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU120PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.