Технічний опис IRFU120PBF
- MOSFET, N, 100V, 7.7A, I-PAK
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:7.7A
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.27ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:0W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:I-PAK
- Alternate Case Style:I-PAK
- Case Style:I-PAK
- Cont Current Id:7.7A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:270ohm
- Power Dissipation Pd:42W
- Pulse Current Idm:31A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Turn Off Time, t Off:14ns
- Turn On Time, t On:27ns
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFU120PBF за ціною від 27.61 грн до 139.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET |
на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFU120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFU120PBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |