IRFU1N60APBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.10 грн |
| 75+ | 60.70 грн |
| 150+ | 54.08 грн |
| 525+ | 46.75 грн |
| 1050+ | 42.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU1N60APBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFU1N60APBF за ціною від 43.36 грн до 155.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU1N60APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU1N60APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU1N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFU1N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFU1N60APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Power dissipation: 36W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Pulsed drain current: 5.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IRFU1N60APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Power dissipation: 36W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Pulsed drain current: 5.6A |
товару немає в наявності |