Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF

IRFU1N60APBF Vishay Siliconix

sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.38 грн
75+65.20 грн
150+58.65 грн
525+46.28 грн
1050+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU1N60APBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFU1N60APBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFETs TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
IRFU1N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 600V 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU1N60APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.