на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 30.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU210PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU210PBF за ціною від 27.98 грн до 93.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFU210PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU210PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK |
на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 11870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU210PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFU210PBF | Виробник : none |
08+ |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IRFU210PBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 825 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
IRFU210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFU210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| IRFU210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| IRFU210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |