IRFU210PBF Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.94 грн |
| 12+ | 28.63 грн |
| 100+ | 22.39 грн |
| 500+ | 19.82 грн |
| 1000+ | 19.26 грн |
| 3000+ | 17.39 грн |
| 6000+ | 15.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU210PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції IRFU210PBF за ціною від 26.97 грн до 115.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU210PBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube |
на замовлення 11306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFU210PBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 825 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |