IRFU214PBF Vishay Semiconductors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.67 грн |
| 10+ | 65.50 грн |
| 100+ | 49.49 грн |
| 500+ | 43.05 грн |
| 1000+ | 39.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU214PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU214PBF за ціною від 36.65 грн до 140.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU214PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU214PBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRFU214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFU214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFU214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRFU214PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRFU214PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |