IRFU214PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.88 грн |
| 75+ | 67.88 грн |
| 150+ | 53.79 грн |
| 525+ | 42.79 грн |
| 1050+ | 34.86 грн |
| 2025+ | 32.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU214PBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU214PBF за ціною від 32.5 грн до 96.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU214PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 250V N-CH HEXFET I-PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFU214PBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRFU214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFU214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFU214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFU214PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFU214PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |