Продукція > VISHAY > IRFU220PBF
IRFU220PBF

IRFU220PBF Vishay


sihfr220.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU220PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Можливі заміни IRFU220PBF Vishay

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFU220B IRFU220B
Код товару: 185591
Виробник : Fairchild irfu220b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 98 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+38.5 грн
10+ 35.2 грн

Інші пропозиції IRFU220PBF за ціною від 20.3 грн до 96.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
355+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 355
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : VISHAY sihfr220.pdf Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+45.59 грн
18+ 43.21 грн
100+ 34.73 грн
500+ 31.84 грн
1000+ 28.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.25 грн
12+ 29.35 грн
25+ 26.11 грн
38+ 21.47 грн
103+ 20.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.07 грн
10+ 59.7 грн
100+ 38.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.7 грн
8+ 36.58 грн
25+ 31.33 грн
38+ 25.76 грн
103+ 24.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.1 грн
75+ 74.33 грн
150+ 58.91 грн
525+ 46.86 грн
1050+ 38.17 грн
2025+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU220PBF (IR) IRFU220PBF (IR)
Код товару: 94411
Виробник : IR sihfr220-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товар відсутній