Продукція > VISHAY > IRFU220PBF
IRFU220PBF

IRFU220PBF Vishay

sihfr220.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU220PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Можливі заміни IRFU220PBF Vishay

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU220B IRFU220B
Код товару: 185591
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild irfu220b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
53 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFU220PBF за ціною від 21.20 грн до 101.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.78 грн
10+47.80 грн
25+41.00 грн
38+24.85 грн
103+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.73 грн
10+59.57 грн
25+49.20 грн
38+29.82 грн
103+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.08 грн
75+40.04 грн
150+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.64 грн
18+50.03 грн
100+44.83 грн
500+39.34 грн
1000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+97.10 грн
10+90.51 грн
25+56.11 грн
100+48.20 грн
500+42.99 грн
1000+38.45 грн
3000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.05 грн
10+96.99 грн
25+47.56 грн
100+43.61 грн
500+42.85 грн
1000+39.74 грн
3000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF (IR) IRFU220PBF (IR)
Код товару: 94411
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR sihfr220-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.70 грн
100+21.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.