Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFU220PBF (IR)
IRFU220PBF (IR)

IRFU220PBF (IR)

sihfr220-datasheet.pdf
Код товару: 94411
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+26.50 грн
10+23.70 грн
100+21.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRFU220PBF (IR) IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFU220B IRFU220B
Код товару: 185591
Додати до обраних Обраний товар
Fairchild irfu220b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 77 шт
  • 43 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220B
Код товару: 185591
Додати до обраних Обраний товар
irfu220b.pdf
IRFU220B
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 77 шт
  • 43 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFU220PBF (IR) за ціною від 27.28 грн до 150.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.19 грн
10+59.01 грн
500+43.70 грн
1000+37.29 грн
3000+27.49 грн
6000+27.35 грн
9000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.37 грн
13+64.14 грн
100+47.53 грн
500+36.57 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.66 грн
75+65.78 грн
150+59.14 грн
525+46.64 грн
1050+42.80 грн
2025+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.19 грн
10+59.01 грн
500+43.70 грн
1000+37.29 грн
3000+27.49 грн
6000+27.35 грн
9000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+109.37 грн
13+64.14 грн
100+47.53 грн
500+36.57 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.66 грн
75+65.78 грн
150+59.14 грн
525+46.64 грн
1050+42.80 грн
2025+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.