Продукція > VISHAY > IRFU310PBF
IRFU310PBF

IRFU310PBF VISHAY


IRFU310PBF.pdf Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+88.47 грн
5+ 51.19 грн
25+ 31.3 грн
36+ 27.12 грн
97+ 25.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU310PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFU310PBF за ціною від 36.15 грн до 123.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr310.pdf MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.27 грн
10+ 84.65 грн
100+ 56.91 грн
500+ 48.24 грн
1000+ 38.51 грн
3000+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857032-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+114.27 грн
10+ 86.99 грн
100+ 63.84 грн
500+ 50.25 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : VISHAY IRFU310PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF IRFU310PBF
Код товару: 32370
Виробник : IR sihfr310.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 400 V
Idd,A: 1,7 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/12
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : Vishay sihfr310.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товар відсутній
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : Vishay sihfr310.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товар відсутній
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : Vishay sihfr310.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товар відсутній
IRFU310PBF IRFU310PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr310.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній