Продукція > VISHAY > IRFU320PBF

IRFU320PBF VISHAY


IRFU320PBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 572 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+84.06 грн
11+42.34 грн
25+40.55 грн
75+38.01 грн
150+36.06 грн
300+34.53 грн
525+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU320PBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-251AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

Інші пропозиції IRFU320PBF за ціною від 35.24 грн до 154.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFU320PBF IRFU320PBF Vishay Semiconductors sihfr320.pdf MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.19 грн
10+68.33 грн
100+49.76 грн
500+43.63 грн
1000+39.19 грн
3000+36.58 грн
6000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF IRFU320PBF Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.62 грн
75+67.44 грн
150+60.63 грн
525+47.80 грн
1050+43.86 грн
2025+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+147.19 грн
10+68.33 грн
100+49.76 грн
500+43.63 грн
1000+39.19 грн
3000+36.58 грн
6000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.62 грн
75+67.44 грн
150+60.63 грн
525+47.80 грн
1050+43.86 грн
2025+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.