Інші пропозиції IRFU3607PBF за ціною від 44.26 грн до 174.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU3607PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU3607PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFU3607PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFU3607PBF | Infineon |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори |
на замовлення 490 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.78 грн |
| 100+ | 53.70 грн |
| 500+ | 49.78 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
| 5000+ | 45.81 грн |
| IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 75.83 грн |
| 75+ | 65.75 грн |
| IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.36 грн |
| 75+ | 47.41 грн |
| 150+ | 46.49 грн |
| IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.33 грн |
| 10+ | 78.79 грн |
| 100+ | 61.81 грн |
| 500+ | 51.88 грн |
| 1000+ | 44.40 грн |
| 3000+ | 44.26 грн |
| IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
на замовлення 490 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.41 грн |
З цим товаром купують
| IRFU024NPBF Код товару: 112197
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| DHS-15M VGA (KLS1-214-15-M-L) Код товару: 107002
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Функціональний опис: D-SUB гніздо на кабель 3-х рядн., 15 контактів, синій
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 15
Серія: DHS
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Функціональний опис: D-SUB гніздо на кабель 3-х рядн., 15 контактів, синій
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 15
Серія: DHS
Механічний монтаж: На провід
Орієнтація в просторі: Прямий
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| SFH229FA (фотодіод) Код товару: 53499
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siemens
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Спектр0.5,nm: 730-1100 nm
Спектр_пік.,nm: 900 nm
Додатково: Фотодіод 34°, 3 мм
Тип: Фотодіод
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Спектр0.5,nm: 730-1100 nm
Спектр_пік.,nm: 900 nm
Додатково: Фотодіод 34°, 3 мм
Тип: Фотодіод
у наявності: 541 шт
- 511 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41266
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2мм, h=3,8мм
Робочий струм, А: 0.92A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 220uH, ±30%, Idc=0.92А, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2мм, h=3,8мм
Робочий струм, А: 0.92A
у наявності: 71 шт
- 4 шт - склад
- 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.50 грн |
| 10+ | 13.20 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1494 шт
- 1414 шт - склад
- 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |












