IRFU3607PBF Infineon Technologies
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2464+ | 34.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU3607PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFU3607PBF за ціною від 40.08 грн до 93.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 9165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU3607PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRFU3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт, IPAK |
на замовлення 490 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
IRFU3607PBF Код товару: 191828
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|