Продукція > VISHAY > IRFU420APBF
IRFU420APBF

IRFU420APBF VISHAY


VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.13 грн
10+118.48 грн
100+82.34 грн
500+63.71 грн
1000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU420APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFU420APBF за ціною від 43.39 грн до 158.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU420APBF IRFU420APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr420.pdf MOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.67 грн
10+87.20 грн
100+59.95 грн
500+52.73 грн
1000+45.59 грн
3000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF IRFU420APBF Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF IRFU420APBF Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF IRFU420APBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF IRFU420APBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF IRFU420APBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.