на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
242+ | 48.41 грн |
270+ | 43.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU420PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU420PBF за ціною від 21.09 грн до 85.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU420PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU420PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU420PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp |
на замовлення 13562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU420PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3016 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU420PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU420PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFU420PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |