Технічний опис IRFU420PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU420PBF за ціною від 28.87 грн до 156.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU420PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU420PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251 Case: IPAK; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Drain current: 1.5A On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU420PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU420PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp |
на замовлення 9623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
IRFU420PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFU420PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 227+ | 62.17 грн |
| 241+ | 58.74 грн |
| 300+ | 56.77 грн |
| 525+ | 52.96 грн |
| 1050+ | 47.39 грн |
| 2025+ | 43.92 грн |
| IRFU420PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.98 грн |
| 9+ | 48.53 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 25+ | 38.58 грн |
| 75+ | 33.81 грн |
| 150+ | 31.97 грн |
| 300+ | 30.88 грн |
| 525+ | 29.87 грн |
| 1050+ | 28.87 грн |
| IRFU420PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.41 грн |
| 75+ | 68.87 грн |
| 150+ | 62.08 грн |
| 525+ | 49.20 грн |
| 1050+ | 45.27 грн |
| IRFU420PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
на замовлення 9623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFU420PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)