IRFU9014PBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.83 грн |
| 75+ | 42.55 грн |
| 150+ | 41.48 грн |
| 525+ | 38.38 грн |
| 1050+ | 36.74 грн |
| 2025+ | 33.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9014PBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 30W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm.
Інші пропозиції IRFU9014PBF за ціною від 36.82 грн до 107.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU9014PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251 Mounting: THT Power dissipation: 25W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Drain current: -3.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: IPAK; TO251 On-state resistance: 0.5Ω |
на замовлення 960 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9014PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 5.1 Amp |
на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFU9014PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFU9014PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.5Ω
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.5Ω
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 107.57 грн |
| 10+ | 59.34 грн |
| 75+ | 45.63 грн |
| 150+ | 42.49 грн |
| 525+ | 37.84 грн |
| 750+ | 36.82 грн |
| IRFU9014PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 5.1 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 5.1 Amp
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFU9014PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)