
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.49 грн |
10+ | 77.92 грн |
100+ | 61.14 грн |
250+ | 61.06 грн |
500+ | 55.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9020PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU9020PBF за ціною від 50.58 грн до 154.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU9020PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 8206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFU9020PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IRFU9020PBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |