
IRFU9110PBF VISHAY

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 60.52 грн |
10+ | 47.33 грн |
43+ | 22.08 грн |
116+ | 20.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9110PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFU9110PBF за ціною від 25.07 грн до 139.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -12A Drain current: -3.1A Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 25W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |