Продукція > VISHAY > IRFU9110PBF
IRFU9110PBF

IRFU9110PBF VISHAY


VISH-S-A0013857010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.57 грн
14+61.90 грн
100+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU9110PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFU9110PBF за ціною від 41.79 грн до 135.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU9110PBF IRFU9110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr911.pdf MOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.75 грн
10+65.06 грн
100+50.69 грн
500+43.11 грн
1000+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF IRFU9110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.29 грн
75+68.73 грн
150+59.00 грн
525+49.42 грн
1050+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF IRFU9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF IRFU9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF IRFU9110PBF Виробник : Vishay sihfr911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF Виробник : VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF Виробник : VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.