| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.09 грн |
| 10+ | 61.36 грн |
| 100+ | 47.81 грн |
| 500+ | 40.66 грн |
| 1000+ | 39.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU9110PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFU9110PBF за ціною від 45.29 грн до 132.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU9110PBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFU9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFU9110PBF | Виробник : Vishay/IR |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK О кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IRFU9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |